目的:通过对表面电势VS衰减和开路热刺激放电(open-circuit thermally stimulated discharge ,TSD)电流以及准静态压电d33系数测量,研究干热消毒对聚四氟乙烯(PTFE)多孔膜电荷储存稳定性的影响.方法:将PTFE多孔膜分别在室温、150℃和250℃下通过恒压电晕充电制备成驻极体;分别于150℃、250℃中干热消毒150 min;用补偿法、热刺激放电法和准静态法分别测量样品的VS、TSD电流和 d33.结果:经150℃和250℃干热消毒150 min, 250℃制备的驻极体保留了初始值的91%和70%,TSD电流谱呈现出与VS和d33随时间变化类似的实验规律;而以常温制备驻极体的d33分别降至其初始值的48%和15%.结论:高于消毒温度下制备的PTFE多孔膜驻极体具有良好的电荷稳定性,宜采用干热法消毒.