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| 目的:通过对表面电势VS衰减和开路热刺激放电(open-circuit thermally stimulated discharge ,TSD)电流以及准静态压电d33系数测量,研究干热消毒对聚四氟乙烯(PTFE)多孔膜电荷储存稳定性的影响.方法:将PTFE多孔膜分别在室温、150℃和250℃下通过恒压电晕充电制备成驻极体;分别于150℃、250℃中干热消毒150 min;用补偿法、热刺激放电法和准静态法分别测量样品的VS、TSD电流和 d33.结果:经150℃和250℃干热消毒150 min, 250℃制备的驻极体保留了初始值的91%和70%,TSD电流谱呈现出与VS和d33随时间变化类似的实验规律;而以常温制备驻极体的d33分别降至其初始值的48%和15%.结论:高于消毒温度下制备的PTFE多孔膜驻极体具有良好的电荷稳定性,宜采用干热法消毒. |
| 关键词: 干热消毒、聚四氟乙烯、驻极体、表面电势、压电性 |
| DOI：10.3724/SP.J.1008.2005.00080 |
| 投稿时间：2004-06-18修订日期：2004-09-20 |
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| Effect of dry heat antisepsis on charge storage stability for porous polytetrafluoroethylene films |
| 王小平,江键,宋茂海,李蕾,宋诚荣 |
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